光辐照下线阵 HgCdTe 探测器载流子分布与电场演变仿真研究
Published in 2026
本文以n-on-p型512×1线阵 HgCdTe 探测器为例，构建二维半导体器件仿真模型，模拟了1064 nm、20 ns脉冲激光在不同功率密度范围内的载流子分布与内建电场演化过程。在研究中保证模型合理性基础上简化探测器结构：仅针对探测器光敏芯片结构建模；忽略P电极和N电极等较薄的连接金属层厚度。结果表明：光生载流子聚集区位于像元正上方，呈近似半圆形分布，浓度沿深度遵循 Beer–Lambert 衰减；功率密度超过临界值后，内建电场Y分量由正变负，PN 结丧失分离能力。
